具有粘附层的相变开关

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411576735.9

申请日：

2024-11-06

公开(公告)号：

CN119968109A

公开(公告)日：

2025-05-09

发明(设计)人：

S·施密德鲍尔 M·马科特 S·穆勒

申请人：

英飞凌科技股份有限公司

申请人地址：

德国诺伊比贝尔格

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

丁君军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	公开	公开

共 50 条

[1]

提高相变材料粘附性的实现方法 [P].

任万春 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102468430A ,2012-05-23

[2]

相变材料层的刻蚀方法 [P].

王志远 ;

邱宗钰 ;

陈庆鸿 .

中国专利 :CN118901298A ,2024-11-05

[3]

相变存储器的相变材料层的蚀刻方法 [P].

王志远 ;

羊卫 ;

陈庆鸿 .

中国专利 :CN121038594A ,2025-11-28

[4]

相变存储器相变层的制作方法 [P].

林静 ;

钟旻 ;

杨伟俊 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN102376884A ,2012-03-14

[5]

原子层淀积的含粘附层钽 [P].

S·W·约翰斯顿 ;

K·斯普尔金 ;

B·L·彼得森 .

中国专利 :CN1977373A ,2007-06-06

[6]

一种相变材料层的刻蚀方法 [P].

王志远 ;

邱宗钰 ;

陈庆鸿 .

中国专利 :CN117615639A ,2024-02-27

[7]

相变开关设备和操作相变开关设备的方法 [P].

D·海斯 ;

C·卡陶 ;

H·塔迪肯 .

中国专利 :CN115694444A ,2023-02-03

[8]

相变材料层的光刻方法 [P].

陈庆鸿 ;

邱宗钰 ;

杜超 ;

王志远 .

中国专利 :CN119053236A ,2024-11-29

[9]

制造具有相变层的半导体集成电路的方法 [P].

姜世勋 .

中国专利 :CN104934531A ,2015-09-23

[10]

基于固液相变粘附机理的机器人 [P].

赵荣 ;

赵艺华 ;

李佩璇 ;

王兴瑞 .

中国专利 :CN120792992A ,2025-10-17

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