用于测量晶圆键合强度的半导体结构及测量方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510660361.7
申请日
2025-05-21
公开(公告)号
CN120184034A
公开(公告)日
2025-06-20
发明(设计)人
缪威
申请人
北京青耘科技有限公司
申请人地址
100089 北京市海淀区中关村大街18号11层1119-38
IPC主分类号
H01L21/66
IPC分类号
H01L21/603 H01L23/488 H01L23/544 G01N19/04
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
杨明莉
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
用于测量晶圆键合强度的半导体结构及测量方法 [P]. 
缪威 .
中国专利 :CN120184034B ,2025-08-26
[2]
晶圆键合强度的测量方法及设备 [P]. 
邢程 ;
王清蕴 ;
章亚荣 .
中国专利 :CN113782462A ,2021-12-10
[3]
晶圆键合强度的测量方法及设备 [P]. 
邢程 ;
王清蕴 ;
章亚荣 .
中国专利 :CN113782462B ,2024-06-07
[4]
一种键合强度的测量方法及采用该测量方法的键合晶圆 [P]. 
曹玉荣 ;
李虎 ;
张志刚 .
中国专利 :CN109524321A ,2019-03-26
[5]
晶圆弹性应变测量装置、测量方法及晶圆键合方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN108987296B ,2024-04-02
[6]
晶圆弹性应变测量装置、测量方法及晶圆键合方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN108987296A ,2018-12-11
[7]
键合晶圆内部键合能的测量方法 [P]. 
魏民 ;
石志雄 ;
贺梅溪 .
中国专利 :CN117571461A ,2024-02-20
[8]
晶圆键合方法及半导体结构 [P]. 
梁娜 .
中国专利 :CN117727640A ,2024-03-19
[9]
晶圆键合对准精度的测量方法及结构 [P]. 
徐爱斌 ;
王俊杰 .
中国专利 :CN114014261A ,2022-02-08
[10]
一种晶圆键合强度测量装置及测量方法 [P]. 
杨亮亮 ;
陈洪立 ;
俞智勇 ;
梁少敏 .
中国专利 :CN115642116A ,2023-01-24