形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411949119.3

申请日：

2024-12-27

公开(公告)号：

CN120236996A

公开(公告)日：

2025-07-01

发明(设计)人：

林秀姃张珉敬辛炫佑裴荣恩沈载桓

申请人：

杜邦电子材料国际有限责任公司

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

H01L21/027

IPC分类号：

H01L21/768

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

徐鑫;陈哲锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

尤宏志 ;

陈建茂 .

中国专利 :CN109786365B ,2019-05-21

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850A ,2021-08-20

[3]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨挺立 ;

蔡柏豪 ;

郑明达 ;

庄咏涵 ;

王学圣 .

中国专利 :CN114464545A ,2022-05-10

[4]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850B ,2025-08-22

[5]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[6]

形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

贵岛正人 ;

针贝笃史 .

中国专利 :CN100501972C ,2006-09-13

[7]

半导体器件及形成半导体器件的方法 [P].

李炅奂 ;

姜昌锡 ;

金容锡 ;

金森宏治 ;

金熙中 ;

林浚熙 .

中国专利 :CN110391332A ,2019-10-29

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

S·拜尔 ;

M·A·博代亚 ;

黄佳艺 .

中国专利 :CN111009499A ,2020-04-14

[10]

半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法 [P].

M.科托罗贾 ;

E.格里布尔 ;

J.G.拉文 ;

A.菲利波 .

中国专利 :CN107665882B ,2018-02-06

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