一种基于开关和变容二极管的有源频率选择表面

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211486442.2

申请日：

2022-11-24

公开(公告)号：

CN115810918B

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

洪涛王诗潼姜文曹攀葛江诚魏昆张文武吕政良

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01Q15/00

IPC分类号：

代理机构：

西安智大知识产权代理事务所 61215

代理人：

段俊涛

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	授权	授权

共 50 条

[1]

基于变容二极管的有源频率选择表面结构 [P].

幸泽钊 ;

朱剑 ;

魏永安 .

中国专利 :CN109103603B ,2018-12-28

[2]

基于变容二极管的S波段可调谐有源频率选择表面 [P].

官权升 ;

苏泽宇 ;

陈吉祥 ;

陈伟琦 .

中国专利 :CN117791169A ,2024-03-29

[3]

一种基于变容二极管有源频率选择表面的极化转换器 [P].

朱敏 .

中国专利 :CN113346254A ,2021-09-03

[4]

一种基于PIN二极管的有源频率选择表面结构 [P].

姜超 ;

刘妍琼 ;

麻晢乂培 ;

龙登坛 .

中国专利 :CN117374604A ,2024-01-09

[5]

一种基于PIN二极管的有源频率选择表面结构 [P].

姜超 ;

刘妍琼 ;

麻晢乂培 ;

龙登坛 .

中国专利 :CN117374604B ,2024-06-04

[6]

变容二极管和制造变容二极管的方法 [P].

F·R·J·休斯曼 ;

O·J·A·拜克 ;

W·拜奇 .

中国专利 :CN1165586A ,1997-11-19

[7]

一种基于光电二极管的有源频率选择表面结构 [P].

李毅 ;

王敏锐 ;

相征 ;

任鹏 .

中国专利 :CN118943752A ,2024-11-12

[8]

变容二极管及变容二极管系统 [P].

格哈德·卡门 .

中国专利 :CN104103425B ,2014-10-15

[9]

变容二极管和用于制造变容二极管的方法 [P].

安德烈埃·特斯蒂诺 .

中国专利 :CN102667982A ,2012-09-12

[10]

变容二极管 [P].

池田洋一 .

中国专利 :CN1913159A ,2007-02-14

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