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一种半导体器件的制备方法和半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510477023.X
申请日：
2025-04-16
公开(公告)号：
CN120282479A
公开(公告)日：
2025-07-08
发明(设计)人：
朱凤前 余仁旭
申请人：
英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/47 H10D64/01 H10D64/23
代理机构：
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人：
李冰
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-08 公开 公开
2025-07-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250416
共 50 条
[1]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
闫治国 ;
魏珂 ;
王开宇 ;
王建超 ;
郭麟睿 ;
高新国 ;
刘新宇 .
中国专利 :CN119815852A ,2025-04-11
[2]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
裴轶 ;
宋晰 .
中国专利 :CN114695523A ,2022-07-01
[3]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
刘浩文 ;
马万里 ;
闫正坤 ;
谭键文 ;
肖帅 .
中国专利 :CN120711778A ,2025-09-26
[4]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
白杰 .
中国专利 :CN112885771A ,2021-06-01
[5]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
占康澍 ;
夏军 ;
宛强 ;
李森 ;
刘涛 .
中国专利 :CN113161483B ,2021-07-23
[6]
半导体器件和制备半导体器件的方法 [P]. 
皇甫幼睿 .
中国专利 :CN109860022B ,2019-06-07
[7]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110890368A ,2020-03-17
[8]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
何鹏 ;
高远皓 .
中国专利 :CN120881988A ,2025-10-31
[9]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
许建华 ;
乐伶聪 ;
杨天应 .
中国专利 :CN114420657B ,2022-04-29
[10]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
曹堪宇 ;
杜国安 ;
邓放心 ;
曹宇 .
中国专利 :CN118973260A ,2024-11-15
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