功率MOSFET器件SOA热稳定性限制线确定方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411100555.3

申请日：

2024-08-12

公开(公告)号：

CN119001382B

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

吴玉强单维刚张强杜君慧韩培峰朱猛邱丹崔玉宝乔思玉王晓

申请人：

济南晶恒电子有限责任公司

申请人地址：

250300 山东省济南市长清区平安街道经十西路13856号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

淄博汇川知识产权代理有限公司 37295

代理人：

朱述超

法律状态：

授权

国省代码：

山东省济南市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-04	授权	授权
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20240812
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

功率MOSFET器件SOA热稳定性限制线确定方法 [P].

吴玉强 ;

单维刚 ;

张强 ;

杜君慧 ;

韩培峰 ;

朱猛 ;

邱丹 ;

崔玉宝 ;

乔思玉 ;

王晓 .

中国专利 :CN119001382A ,2024-11-22

[2]

功率MOSFET芯片热稳定性评价方法 [P].

吴玉强 ;

张洪亮 ;

郝勇 ;

郑花 ;

颜添 ;

郭美洋 ;

孙喜鹏 ;

李培 ;

田翠翠 .

中国专利 :CN119667446A ,2025-03-21

[3]

提高硅化物热稳定性的方法 [P].

廖纬武 ;

曾令旭 ;

郑志祥 .

中国专利 :CN1353449A ,2002-06-12

[4]

热稳定性好的高功率半导体组件 [P].

斯科·K·雷 ;

安荷·叭刺 ;

圣杰·哈佛纳 .

中国专利 :CN101479940A ,2009-07-08

[5]

功率MOSFET器件的制造方法和功率MOSFET器件 [P].

张鹏程 ;

孟宇 .

中国专利 :CN119584573A ,2025-03-07

[6]

功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

周源 ;

胡磊 ;

王超 ;

杨棂鑫 ;

邢岳 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141878B ,2025-08-01

[7]

功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102437188A ,2012-05-02

[8]

功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

周源 ;

胡磊 ;

王超 ;

杨棂鑫 ;

邢岳 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141878A ,2022-03-04

[9]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472A ,2019-03-26

[10]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472B ,2024-07-19

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