沟槽电容的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510392956.9

申请日：

2025-03-28

公开(公告)号：

CN120302649A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

王函王晓日张磊杨留鹏

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司华虹半导体制造（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D1/68

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	公开	公开
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/68申请日:20250328

共 50 条

[1]

沟槽式电容及其形成方法 [P].

李岳川 ;

陈赐龙 .

中国专利 :CN1525551A ,2004-09-01

[2]

沟槽的形成方法 [P].

崔基雄 ;

高建峰 ;

孔真真 ;

刘卫兵 ;

王桂磊 .

中国专利 :CN115084002A ,2022-09-20

[3]

沟槽的形成方法 [P].

周鸣 ;

尹晓明 .

中国专利 :CN101587837A ,2009-11-25

[4]

沟槽的形成方法 [P].

张海洋 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN103377991B ,2013-10-30

[5]

沟槽的形成方法 [P].

李凡 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102214567B ,2011-10-12

[6]

沟槽的形成方法 [P].

符雅丽 ;

张海洋 ;

王新鹏 ;

孙武 .

中国专利 :CN101826486A ,2010-09-08

[7]

沟槽光测器及其形成方法 [P].

程慷果 ;

R·迪瓦卡茹尼 ;

C·雷登斯 .

中国专利 :CN1819280A ,2006-08-16

[8]

深沟槽的形成方法 [P].

肖培 .

中国专利 :CN102324387A ,2012-01-18

[9]

沟槽隔离的形成方法 [P].

具本荣 ;

洪景熏 ;

裴大勋 ;

南硕祐 .

中国专利 :CN1233851A ,1999-11-03

[10]

沟槽栅的形成方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN103035500B ,2013-04-10

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