低能脉冲离子源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510411474.3

申请日：

2025-04-02

公开(公告)号：

CN120319645A

公开(公告)日：

2025-07-15

发明(设计)人：

胡婕吴春晓田善喜

申请人：

中国科学技术大学

申请人地址：

230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

IPC主分类号：

H01J27/02

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

樊晓

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省六安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 27/02申请日:20250402
2025-07-15	公开	公开

共 50 条

[1]

脉冲激光辅助喷雾离子源 [P].

聂磊 ;

徐国宾 ;

杨芃原 .

中国专利 :CN102013380B ,2011-04-13

[2]

一种离子源外壳及离子源 [P].

张海飞 ;

范文明 ;

卓永生 ;

刘家湛 .

中国专利 :CN223108838U ,2025-07-15

[3]

一种脉冲离子源镀膜引出装置 [P].

郭春刚 ;

程国安 ;

郑瑞廷 .

中国专利 :CN113186504B ,2021-07-30

[4]

一种脉冲离子源镀膜引出装置 [P].

郭春刚 ;

程国安 ;

郑瑞廷 .

中国专利 :CN214694353U ,2021-11-12

[5]

离子源恒流控制装置、方法以及离子源系统 [P].

刘运鸿 ;

刘伟基 ;

冀鸣 ;

赵刚 ;

易洪波 ;

曾文华 .

中国专利 :CN111176356B ,2020-05-19

[6]

等离子体离子源 [P].

刘伟基 ;

冀鸣 ;

易洪波 ;

赵刚 ;

吴秋生 .

中国专利 :CN307035534S ,2021-12-28

[7]

具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置 [P].

张斌 ;

张俊彦 ;

高凯雄 ;

强力 ;

王健 .

中国专利 :CN205152323U ,2016-04-13

[8]

具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置 [P].

张斌 ;

张俊彦 ;

高凯雄 ;

强力 ;

王健 .

中国专利 :CN105220122B ,2016-01-06

[9]

用于离子源的锁紧装置 [P].

唐荣浩 .

中国专利 :CN216895182U ,2022-07-05

[10]

一种离子源挡板 [P].

韩滨 ;

闫少健 ;

付德春 .

中国专利 :CN204138756U ,2015-02-04

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