ブランクマスク及びブランクマスクの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20240233156

申请日：

2024-12-27

公开(公告)号：

JP2025105592A

公开(公告)日：

2025-07-10

发明(设计)人：

JEONG HAEYOUNG LEE HYEONG JU JEONG GYEONGSE

申请人：

SK ENPULSE CO LTD

申请人地址：

IPC主分类号：

G03F1/50

IPC分类号：

H01L21/027

代理机构：

代理人：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004088421A1 ,2006-07-06

[2]

ブランクマスク及びその製造方法[ja] [P].

KIM TAE WAN ;

SHIN INKYUN ;

LEE HYEONG JU .

日本专利 :JP2024153564A ,2024-10-29

[3]

マスクブランク及び転写用マスクの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010113787A1 ,2012-10-11

[4]

マスクブランクスの製造方法、及び転写マスクの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004088420A1 ,2006-07-06

[5]

ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015507227A ,2015-03-05

[6]

マスクブランク及び転写用マスク[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011007800A1 ,2012-12-27

[7]

フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009123171A1 ,2011-07-28

[8]

フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009123170A1 ,2011-07-28

[9]

マスクブランク、マスクブランクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017038213A1 ,2017-08-31

[10]

マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015045801A1 ,2017-03-09

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