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具有气隙的混合接合结构的半导体元件结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410468675.2
申请日：
2024-04-18
公开(公告)号：
CN120376544A
公开(公告)日：
2025-07-25
发明(设计)人：
丘世仰
申请人：
南亚科技股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新北市
IPC主分类号：
H01L23/528
IPC分类号：
H01L21/768
代理机构：
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人：
李南山
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-25 | 公开 | 公开 |
| 2025-08-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/528申请日:20240418 |