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一种沟槽型IGBT器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510562738.5
申请日：
2025-04-30
公开(公告)号：
CN120111908B
公开(公告)日：
2025-07-25
发明(设计)人：
张伟 田甜 刘继平 廖光朝
申请人：
深圳云潼微电子科技有限公司 重庆云潼科技有限公司
申请人地址：
518122 广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区秀盛一路7号C栋405
IPC主分类号：
H10D12/00
IPC分类号：
H10D12/01 H10D64/27
代理机构：
深圳砾智知识产权代理事务所(普通合伙) 44722
代理人：
饶静
法律状态：
公开
国省代码：
重庆市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-06 公开 公开
2025-07-25 授权 授权
2025-06-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 12/00申请日:20250430
共 50 条
[1]
一种沟槽型IGBT器件及其制造方法 [P]. 
张伟 ;
田甜 ;
刘继平 ;
廖光朝 .
中国专利 :CN120111908A ,2025-06-06
[2]
沟槽型IGBT器件及其制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
李宗清 .
中国专利 :CN103985746A ,2014-08-13
[3]
一种沟槽型IGBT器件 [P]. 
黎国伟 .
中国专利 :CN203415585U ,2014-01-29
[4]
一种沟槽型IGBT器件及其制造方法 [P]. 
许海东 .
中国专利 :CN111739940B ,2020-10-02
[5]
沟槽型终端IGBT器件及其制造方法 [P]. 
斯海国 ;
王鹏 ;
李翔 .
中国专利 :CN117711939A ,2024-03-15
[6]
沟槽栅型IGBT器件及其制造方法 [P]. 
顾悦吉 ;
杨彦涛 ;
韩健 ;
王珏 .
中国专利 :CN104882477B ,2015-09-02
[7]
沟槽型终端IGBT器件及其制造方法 [P]. 
斯海国 ;
王鹏 ;
李翔 .
中国专利 :CN117711939B ,2024-06-14
[8]
沟槽IGBT器件及其制造方法 [P]. 
吴凯 ;
程炜涛 ;
王海军 ;
杨晓鸾 ;
许生根 .
中国专利 :CN106683989A ,2017-05-17
[9]
一种沟槽栅IGBT器件及其制造方法 [P]. 
刘国友 ;
朱利恒 ;
戴小平 ;
罗海辉 ;
黄建伟 .
中国专利 :CN109873032A ,2019-06-11
[10]
沟槽型IGBT器件及其制备方法 [P]. 
王帅 ;
王伟 ;
葛孝昊 ;
郭依腾 .
中国专利 :CN120529600A ,2025-08-22
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