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半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510907645.1
申请日：
2025-07-02
公开(公告)号：
CN120400794A
公开(公告)日：
2025-08-01
发明(设计)人：
张季明 潘连胜 何翠翠 高雪冬 李庄 韩汀钰 杨睿宁 刘文涛
申请人：
锦州精辰半导体有限公司
申请人地址：
121011 辽宁省锦州市太和区中信路46甲-2号
IPC主分类号：
C23C16/32
IPC分类号：
C23C16/458 C23C16/455
代理机构：
合肥诚育专利代理事务所(普通合伙) 34254
代理人：
张素强
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-04 授权 授权
2025-08-19 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/32申请日:20250702
2025-08-01 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法 [P]. 
张季明 ;
潘连胜 ;
何翠翠 ;
高雪冬 ;
李庄 ;
韩汀钰 ;
杨睿宁 ;
刘文涛 .
中国专利 :CN120400794B ,2025-11-04
[2]
一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置及方法 [P]. 
何翠翠 ;
潘连胜 ;
张季明 ;
高雪冬 ;
李庄 ;
韩汀钰 ;
杨睿宁 ;
刘文涛 .
中国专利 :CN120536890B ,2025-11-07
[3]
一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置及方法 [P]. 
何翠翠 ;
潘连胜 ;
张季明 ;
高雪冬 ;
李庄 ;
韩汀钰 ;
杨睿宁 ;
刘文涛 .
中国专利 :CN120536890A ,2025-08-26
[4]
一种半导体碳化硅涂层加工用化学气相沉积装置及方法 [P]. 
潘连胜 ;
何翠翠 ;
张季明 ;
高雪冬 ;
李庄 ;
韩汀钰 ;
杨睿宁 ;
刘文涛 .
中国专利 :CN120536895B ,2025-11-14
[5]
一种半导体碳化硅涂层加工用化学气相沉积装置及方法 [P]. 
潘连胜 ;
何翠翠 ;
张季明 ;
高雪冬 ;
李庄 ;
韩汀钰 ;
杨睿宁 ;
刘文涛 .
中国专利 :CN120536895A ,2025-08-26
[6]
碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体芯片及碳化硅半导体装置的制造方法 [P]. 
滨野健一 ;
大野彰仁 ;
沟部卓真 ;
酒井雅 ;
木村泰广 ;
三谷阳一郎 ;
金泽孝 .
中国专利 :CN109996908B ,2019-07-09
[7]
低粗糙度多晶碳化硅衬底的制备方法及复合衬底 [P]. 
黄秀松 ;
郭超 ;
母凤文 ;
刘福超 ;
谭向虎 .
中国专利 :CN119314861A ,2025-01-14
[8]
化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置 [P]. 
杨泰生 ;
刘海林 ;
霍艳丽 ;
陈玉峰 ;
唐婕 ;
胡利明 .
中国专利 :CN108546928B ,2018-09-18
[9]
碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置 [P]. 
宫崎正行 .
中国专利 :CN106536793A ,2017-03-22
[10]
碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P]. 
桥爪悠一 ;
熊田惠志郎 ;
星保幸 .
中国专利 :CN109427902A ,2019-03-05
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