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一种半导体碳化硅涂层加工用化学气相沉积装置及方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511039412.0
申请日：
2025-07-28
公开(公告)号：
CN120536895B
公开(公告)日：
2025-11-14
发明(设计)人：
潘连胜 何翠翠 张季明 高雪冬 李庄 韩汀钰 杨睿宁 刘文涛
申请人：
锦州精辰半导体有限公司
申请人地址：
121011 辽宁省锦州市太和区中信路46甲-2号
IPC主分类号：
C23C16/44
IPC分类号：
C23C16/32
代理机构：
宿州青岚知识产权代理事务所(普通合伙) 34350
代理人：
谢冰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-26 公开 公开
2025-09-12 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/44申请日:20250728
2025-11-14 授权 授权
共 50 条
[1]
一种半导体碳化硅涂层加工用化学气相沉积装置及方法 [P]. 
潘连胜 ;
何翠翠 ;
张季明 ;
高雪冬 ;
李庄 ;
韩汀钰 ;
杨睿宁 ;
刘文涛 .
中国专利 :CN120536895A ,2025-08-26
[2]
一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置及方法 [P]. 
何翠翠 ;
潘连胜 ;
张季明 ;
高雪冬 ;
李庄 ;
韩汀钰 ;
杨睿宁 ;
刘文涛 .
中国专利 :CN120536890B ,2025-11-07
[3]
一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置及方法 [P]. 
何翠翠 ;
潘连胜 ;
张季明 ;
高雪冬 ;
李庄 ;
韩汀钰 ;
杨睿宁 ;
刘文涛 .
中国专利 :CN120536890A ,2025-08-26
[4]
化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置 [P]. 
杨泰生 ;
刘海林 ;
霍艳丽 ;
陈玉峰 ;
唐婕 ;
胡利明 .
中国专利 :CN108546928B ,2018-09-18
[5]
多次化学气相沉积制备碳化硅涂层的方法 [P]. 
成来飞 ;
张立同 ;
徐永东 ;
刘小瀛 ;
王东 .
中国专利 :CN107182242B ,2016-10-05
[6]
一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置 [P]. 
胡丹 ;
于金凤 ;
朱刘 .
中国专利 :CN211367813U ,2020-08-28
[7]
半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法 [P]. 
张季明 ;
潘连胜 ;
何翠翠 ;
高雪冬 ;
李庄 ;
韩汀钰 ;
杨睿宁 ;
刘文涛 .
中国专利 :CN120400794A ,2025-08-01
[8]
半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法 [P]. 
张季明 ;
潘连胜 ;
何翠翠 ;
高雪冬 ;
李庄 ;
韩汀钰 ;
杨睿宁 ;
刘文涛 .
中国专利 :CN120400794B ,2025-11-04
[9]
化学气相沉积的碳化硅制品 [P]. 
M·A·皮克林 ;
J·L·特里巴 ;
K·D·莱斯 .
中国专利 :CN101429048A ,2009-05-13
[10]
一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 [P]. 
唐治 ;
况维维 ;
陈中 .
中国专利 :CN104046959B ,2014-09-17
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