一种用于低沸点硅烷中痕量金属杂质检测的前处理装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421513229.0

申请日：

2024-06-28

公开(公告)号：

CN223166448U

公开(公告)日：

2025-07-29

发明(设计)人：

叶瑞谭小龙李琴贺兆波

申请人：

湖北兴福电子材料股份有限公司

申请人地址：

443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号

IPC主分类号：

G01N1/44

IPC分类号：

G01N1/42

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

陆业磊

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省宜昌市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于三氯硅烷中金属杂质离子检测的前处理装置 [P].

陈文吉 ;

李春梅 ;

裴雅晨 ;

李豪杰 ;

董红军 ;

高娟 ;

尚鹏翔 ;

万伟 .

中国专利 :CN222800442U ,2025-04-25

[2]

一种氯硅烷杂质检测的前处理系统 [P].

何春梅 ;

殷俊强 ;

毛勇飞 ;

陈煜 .

中国专利 :CN117330388A ,2024-01-02

[3]

一种氯硅烷杂质检测的前处理系统 [P].

何春梅 ;

殷俊强 ;

毛勇飞 ;

陈煜 .

中国专利 :CN117330388B ,2024-01-26

[4]

一种用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置 [P].

田润朝 ;

征取 ;

拜黎洁 ;

王彩娟 ;

张海燕 ;

陈英 ;

魏东亮 .

中国专利 :CN208076248U ,2018-11-09

[5]

一种用于痕量杂质分析的样品前处理装置 [P].

黄二阳 ;

周延江 ;

赵娟龙 ;

李虎 ;

张国瑞 .

中国专利 :CN216051512U ,2022-03-15

[6]

一种用于多晶硅中痕量杂质分析的前处理装置 [P].

祝永强 ;

王生红 ;

征取 ;

刘元香 ;

蔡延国 ;

宗冰 ;

王体虎 .

中国专利 :CN105158322A ,2015-12-16

[7]

一种用于分析三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置 [P].

张福海 ;

蔡延国 ;

王生红 ;

刘元香 ;

征取 ;

季静佳 .

中国专利 :CN204214707U ,2015-03-18

[8]

一种低沸点物质取样前处理装置 [P].

魏东亮 ;

安军林 ;

曹岩德 ;

陈英 ;

田润朝 .

中国专利 :CN213022555U ,2021-04-20

[9]

一种氯硅烷前处理系统及氯硅烷中杂质含量的检测方法 [P].

曹岩德 ;

陈英 ;

魏东亮 ;

王海礼 ;

张海燕 ;

田润朝 ;

安军林 ;

蔡延国 .

中国专利 :CN111024483A ,2020-04-17

[10]

一种用于高纯二氯氢硅中痕量杂质检测的分析装置 [P].

倪珊珊 ;

陈润泽 ;

李欣 ;

李帅楠 ;

井栋宇 ;

吕舜 ;

解晓虎 ;

吕浩然 .

中国专利 :CN220795140U ,2024-04-16

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