改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210187231.2

申请日：

2022-02-28

公开(公告)号：

CN114695253B

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

杨作东彭翔邹海华

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/48

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法 [P].

杨作东 ;

彭翔 ;

邹海华 .

中国专利 :CN114695253A ,2022-07-01

[2]

扩大接触孔刻蚀工艺窗口的方法 [P].

卓红标 ;

刘春玲 .

中国专利 :CN115662947A ,2023-01-31

[3]

改善硅接触孔刻蚀工艺窗口的方法 [P].

刘俊 .

中国专利 :CN103137548A ,2013-06-05

[4]

改善大尺寸金属栅中接触孔过刻蚀的方法 [P].

吕瑞卿 ;

彭翔 ;

杨作东 .

中国专利 :CN115020334A ,2022-09-06

[5]

改善大尺寸金属栅中接触孔过刻蚀的方法 [P].

吕瑞卿 ;

彭翔 ;

杨作东 .

中国专利 :CN115020334B ,2025-05-27

[6]

金属栅MOS器件的接触孔刻蚀方法 [P].

张翼英 ;

鲍俊波 ;

韩秋华 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN102403264B ,2012-04-04

[7]

改善接触孔过刻蚀的方法 [P].

张方方 ;

贺可强 ;

张磊 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN115000008A ,2022-09-02

[8]

改善接触孔过刻蚀的方法 [P].

张方方 ;

贺可强 ;

张磊 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN115000008B ,2025-07-18

[9]

接触孔的刻蚀方法 [P].

张文文 ;

丁佳 ;

王玉新 ;

陈志远 ;

张淑婷 .

中国专利 :CN118156220A ,2024-06-07

[10]

接触孔刻蚀方法 [P].

李程 ;

吴敏 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN103681477A ,2014-03-26

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