扩大接触孔刻蚀工艺窗口的方法

被引：0

申请号：

CN202211397514.6

申请日：

2022-11-09

公开(公告)号：

CN115662947A

公开(公告)日：

2023-01-31

发明(设计)人：

卓红标刘春玲

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2102 H01L21311

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20221109
2023-01-31	公开	公开

共 50 条

[1]

改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法 [P].

杨作东 ;

彭翔 ;

邹海华 .

中国专利 :CN114695253A ,2022-07-01

[2]

改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法 [P].

杨作东 ;

彭翔 ;

邹海华 .

中国专利 :CN114695253B ,2025-07-22

[3]

改善硅接触孔刻蚀工艺窗口的方法 [P].

刘俊 .

中国专利 :CN103137548A ,2013-06-05

[4]

接触孔的刻蚀工艺方法 [P].

梁金娥 ;

奚裴 ;

冯凯 ;

王函 ;

程刘锁 .

中国专利 :CN111128871B ,2020-05-08

[5]

接触孔的刻蚀方法 [P].

张文文 ;

丁佳 ;

王玉新 ;

陈志远 ;

张淑婷 .

中国专利 :CN118156220A ,2024-06-07

[6]

接触孔的刻蚀方法 [P].

吴敏 ;

杨渝书 ;

李程 .

中国专利 :CN103400799B ,2013-11-20

[7]

接触孔的刻蚀方法 [P].

施洋 .

中国专利 :CN107808822A ,2018-03-16

[8]

接触孔刻蚀方法 [P].

李程 ;

吴敏 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN103681477A ,2014-03-26

[9]

改善接触孔过刻蚀的方法 [P].

张方方 ;

贺可强 ;

张磊 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN115000008A ,2022-09-02

[10]

改善接触孔过刻蚀的方法 [P].

张方方 ;

贺可强 ;

张磊 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN115000008B ,2025-07-18

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