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一种半导体硅外延片材料及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411507340.3
申请日
:
2024-10-28
公开(公告)号
:
CN119433693B
公开(公告)日
:
2025-08-05
发明(设计)人
:
戴广军
王革峰
卫国
申请人
:
国芯半导体(仪征)有限公司
申请人地址
:
211400 江苏省扬州市仪征经济开发区闽泰大道1号
IPC主分类号
:
C30B25/02
IPC分类号
:
H01L21/02
C30B29/06
C30B25/20
C30B25/14
C30B25/16
代理机构
:
无锡苏盈专利代理有限公司 32787
代理人
:
吴忠义
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-08-05
授权
授权
2025-02-14
公开
公开
2025-03-04
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/02申请日:20241028
共 50 条
[1]
一种半导体硅外延片材料及其制备方法
[P].
戴广军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
戴广军
;
王革峰
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
王革峰
;
卫国
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
卫国
.
中国专利
:CN119433693A
,2025-02-14
[2]
半导体硅外延片用转运装置
[P].
卫国
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
卫国
;
柏小宁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
柏小宁
.
中国专利
:CN223291382U
,2025-09-02
[3]
一种半导体多层外延片材料及其制备方法
[P].
徐永平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
徐永平
;
顾金海
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
顾金海
.
中国专利
:CN119352162B
,2025-06-03
[4]
一种半导体多层外延片材料及其制备方法
[P].
徐永平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
徐永平
;
顾金海
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
顾金海
.
中国专利
:CN119352162A
,2025-01-24
[5]
半导体硅外延片生产用定位机构
[P].
闪晨晨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
闪晨晨
;
张毅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
张毅
.
中国专利
:CN223723281U
,2025-12-26
[6]
一种半导体硅外延片检测用夹持装置
[P].
裴勇康
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
裴勇康
;
陈泽
论文数:
0
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0
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0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
陈泽
.
中国专利
:CN223123891U
,2025-07-18
[7]
一种半导体硅外延片生长用鼓泡器
[P].
顾金海
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
顾金海
;
闪晨晨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
闪晨晨
.
中国专利
:CN223150693U
,2025-07-25
[8]
一种半导体硅外延片生产用硅片清洗机
[P].
顾金海
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
顾金海
;
裴勇康
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
裴勇康
.
中国专利
:CN223450854U
,2025-10-17
[9]
一种半导体硅外延片生长中TCS集中供液装置
[P].
陈骏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
陈骏
;
曾东林
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国芯半导体(仪征)有限公司
国芯半导体(仪征)有限公司
曾东林
.
中国专利
:CN223592885U
,2025-11-25
[10]
一种半导体外延片及其制备方法
[P].
闫其昂
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
闫其昂
;
王国斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
王国斌
.
中国专利
:CN120018659A
,2025-05-16
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