一种半导体硅外延片材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411507340.3
申请日
2024-10-28
公开(公告)号
CN119433693B
公开(公告)日
2025-08-05
发明(设计)人
戴广军 王革峰 卫国
申请人
国芯半导体(仪征)有限公司
申请人地址
211400 江苏省扬州市仪征经济开发区闽泰大道1号
IPC主分类号
C30B25/02
IPC分类号
H01L21/02 C30B29/06 C30B25/20 C30B25/14 C30B25/16
代理机构
无锡苏盈专利代理有限公司 32787
代理人
吴忠义
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体硅外延片材料及其制备方法 [P]. 
戴广军 ;
王革峰 ;
卫国 .
中国专利 :CN119433693A ,2025-02-14
[2]
半导体硅外延片用转运装置 [P]. 
卫国 ;
柏小宁 .
中国专利 :CN223291382U ,2025-09-02
[3]
一种半导体多层外延片材料及其制备方法 [P]. 
徐永平 ;
顾金海 .
中国专利 :CN119352162B ,2025-06-03
[4]
一种半导体多层外延片材料及其制备方法 [P]. 
徐永平 ;
顾金海 .
中国专利 :CN119352162A ,2025-01-24
[5]
半导体硅外延片生产用定位机构 [P]. 
闪晨晨 ;
张毅 .
中国专利 :CN223723281U ,2025-12-26
[6]
一种半导体硅外延片检测用夹持装置 [P]. 
裴勇康 ;
陈泽 .
中国专利 :CN223123891U ,2025-07-18
[7]
一种半导体硅外延片生长用鼓泡器 [P]. 
顾金海 ;
闪晨晨 .
中国专利 :CN223150693U ,2025-07-25
[8]
一种半导体硅外延片生产用硅片清洗机 [P]. 
顾金海 ;
裴勇康 .
中国专利 :CN223450854U ,2025-10-17
[9]
一种半导体硅外延片生长中TCS集中供液装置 [P]. 
陈骏 ;
曾东林 .
中国专利 :CN223592885U ,2025-11-25
[10]
一种半导体外延片及其制备方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN120018659A ,2025-05-16