晶片托、半导体制造装置及半导体装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202210491103.7
申请日
2022-05-07
公开(公告)号
CN115346908B
公开(公告)日
2025-08-08
发明(设计)人
武田直幸 田中博司
申请人
三菱电机株式会社
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L21/687
IPC分类号
H01L21/673 H01L21/677
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
何立波;张天舒
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
晶片托、半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
武田直幸 ;
田中博司 .
中国专利 :CN115346908A ,2022-11-15
[2]
晶片搭载装置、半导体制造装置、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P]. 
西本阳一郎 .
日本专利 :CN120613305A ,2025-09-09
[3]
半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P]. 
中岛一敬 ;
野尻祐二 ;
野口贵也 .
日本专利 :CN119069387A ,2024-12-03
[4]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
古林爱 ;
桥本隆希 ;
郭彦廷 .
日本专利 :CN118448287A ,2024-08-06
[5]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
上野隆二 ;
砂本昌利 .
中国专利 :CN110197799A ,2019-09-03
[6]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
柚木幸平 ;
野岛和弘 ;
丹羽惠一 ;
大野天颂 .
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[7]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
桥本幸太 .
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[8]
半导体制造装置及使用该装置的半导体晶片的制造方法 [P]. 
甲斐丈靖 ;
马场裕之 .
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[9]
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
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杉沢佳史 .
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[10]
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
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日本专利 :CN117918037A ,2024-04-23