晶片搭载装置、半导体制造装置、半导体装置的制造方法以及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411964359.0

申请日：

2024-12-30

公开(公告)号：

CN120613305A

公开(公告)日：

2025-09-09

发明(设计)人：

西本阳一郎

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L21/687

IPC分类号：

H01L21/67 C30B25/12 C30B25/08 C30B25/16 C30B25/14 C30B29/36 C23C16/458

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-09	公开	公开
2025-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/687申请日:20241230

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

藤田努 ;

杉沢佳史 .

中国专利 :CN104425334B ,2015-03-18

[2]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

山口欣秀 .

日本专利 :CN117918037A ,2024-04-23

[3]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

田中阳子 .

中国专利 :CN103871863A ,2014-06-18

[4]

半导体制造装置以及半导体装置的制造方法 [P].

久野美里 ;

野村典嗣 .

日本专利 :CN119480688A ,2025-02-18

[5]

半导体制造装置以及半导体晶片支架 [P].

东真也 ;

佐藤慎哉 ;

佐久间智教 ;

大泽明彦 ;

小林浩秋 ;

山崎修 ;

西村博司 .

中国专利 :CN104064490A ,2014-09-24

[6]

半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P].

太駄俊彦 ;

黑泽哲也 ;

福田昌利 .

中国专利 :CN110310903A ,2019-10-08

[7]

晶片托、半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

武田直幸 ;

田中博司 .

中国专利 :CN115346908A ,2022-11-15

[8]

晶片托、半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

武田直幸 ;

田中博司 .

日本专利 :CN115346908B ,2025-08-08

[9]

半导体装置的制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P].

秋好恭兵 ;

中西洋介 ;

山田胜 .

日本专利 :CN118658824A ,2024-09-17

[10]

半导体装置的制造方法、半导体晶片以及半导体装置 [P].

保利幸隆 .

中国专利 :CN101145521B ,2008-03-19

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