半导体制造装置以及半导体晶片支架

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310363069.6

申请日：

2013-08-20

公开(公告)号：

CN104064490A

公开(公告)日：

2014-09-24

发明(设计)人：

东真也佐藤慎哉佐久间智教大泽明彦小林浩秋山崎修西村博司

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L2313

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

许海兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-24	公开	公开
2014-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587754106 IPC(主分类):H01L 21/67 专利申请号:2013103630696 申请日:20130820
2017-06-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752580822 IPC(主分类):H01L 21/67 专利申请号:2013103630696 申请公布日:20140924

共 50 条

[1]

晶片搭载装置、半导体制造装置、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

西本阳一郎 .

日本专利 :CN120613305A ,2025-09-09

[2]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

藤田努 ;

杉沢佳史 .

中国专利 :CN104425334B ,2015-03-18

[3]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

山口欣秀 .

日本专利 :CN117918037A ,2024-04-23

[4]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

田中阳子 .

中国专利 :CN103871863A ,2014-06-18

[5]

半导体制造装置以及半导体装置的制造方法 [P].

久野美里 ;

野村典嗣 .

日本专利 :CN119480688A ,2025-02-18

[6]

半导体制造装置、晶片安装装置、切割装置、半导体制造方法 [P].

财满修 .

日本专利 :CN119361541A ,2025-01-24

[7]

半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P].

太駄俊彦 ;

黑泽哲也 ;

福田昌利 .

中国专利 :CN110310903A ,2019-10-08

[8]

半导体制造装置和半导体制造方法 [P].

森田朋岳 .

中国专利 :CN101202240A ,2008-06-18

[9]

晶片托、半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

武田直幸 ;

田中博司 .

中国专利 :CN115346908A ,2022-11-15

[10]

晶片托、半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

武田直幸 ;

田中博司 .

日本专利 :CN115346908B ,2025-08-08

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