半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510637650.5

申请日：

2025-05-16

公开(公告)号：

CN120456611A

公开(公告)日：

2025-08-08

发明(设计)人：

冯立伟傅恬张钦福

申请人：

福建省晋华集成电路有限公司

申请人地址：

362261 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

IPC主分类号：

H10D84/83

IPC分类号：

H10D84/01

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

孟秀娟;臧建明

法律状态：

公开

国省代码：

福建省泉州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-08	公开	公开
2025-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/83申请日:20250516

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

颜逸飞 ;

林昭维 ;

陈辉煌 ;

涂言铭 ;

何新悦 .

中国专利 :CN119421478A ,2025-02-11

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN111725305B ,2020-09-29

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

冯立伟 ;

张钦福 ;

许艺蓉 .

中国专利 :CN118804592A ,2024-10-18

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

张权 ;

姚兰 ;

周璐 .

中国专利 :CN114175232A ,2022-03-11

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

严强生 ;

崔燕雯 .

中国专利 :CN120390420A ,2025-07-29

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

黄晨 ;

蔡孟峯 .

中国专利 :CN114141641A ,2022-03-04

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104952785A ,2015-09-30

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

吴建山 ;

许培育 ;

江丽贞 ;

张昊 ;

张议丹 .

中国专利 :CN120897450A ,2025-11-04

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

杨勇胜 ;

陈乐乐 .

中国专利 :CN104752220A ,2015-07-01

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

苏炳熏 ;

杨展悌 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

赵杰 ;

薛静 .

中国专利 :CN113594161B ,2024-08-23

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