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半导体器件及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511099659.1
申请日：
2025-08-06
公开(公告)号：
CN120897450A
公开(公告)日：
2025-11-04
发明(设计)人：
吴建山 许培育 江丽贞 张昊 张议丹
申请人：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址：
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
刘蕾蕾;黄健
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
福建省 泉州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20250806
2025-11-04 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘俊文 .
中国专利 :CN111725305B ,2020-09-29
[2]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
冯立伟 ;
张钦福 ;
许艺蓉 .
中国专利 :CN118804592A ,2024-10-18
[3]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
张权 ;
姚兰 ;
周璐 .
中国专利 :CN114175232A ,2022-03-11
[4]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
严强生 ;
崔燕雯 .
中国专利 :CN120390420A ,2025-07-29
[5]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
黄晨 ;
蔡孟峯 .
中国专利 :CN114141641A ,2022-03-04
[6]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
宋化龙 .
中国专利 :CN104952785A ,2015-09-30
[7]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
冯立伟 ;
傅恬 ;
张钦福 .
中国专利 :CN120456611A ,2025-08-08
[8]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
杨勇胜 ;
陈乐乐 .
中国专利 :CN104752220A ,2015-07-01
[9]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
苏炳熏 ;
杨展悌 ;
叶甜春 ;
罗军 ;
赵杰 ;
薛静 .
中国专利 :CN113594161B ,2024-08-23
[10]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
苏炳熏 ;
杨展悌 ;
叶甜春 ;
罗军 ;
赵杰 ;
薛静 .
中国专利 :CN113594161A ,2021-11-02
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