一种功率器件封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510755337.1

申请日：

2025-06-06

公开(公告)号：

CN120657016A

公开(公告)日：

2025-09-16

发明(设计)人：

魏志丹王雷沈海波张光峰赵志方马东战

申请人：

上海维安半导体有限公司

申请人地址：

201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢

IPC主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/495 H01L23/49

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

吴轶淳

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-16	公开	公开
2025-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/367申请日:20250606

共 50 条

[1]

一种功率器件封装结构 [P].

李明芬 ;

徐赛 ;

周正伟 ;

刘红军 ;

陆军 .

中国专利 :CN203787412U ,2014-08-20

[2]

一种碳化硅功率器件封装结构 [P].

陈锰宏 ;

熊哲鹏 ;

林琪 .

中国专利 :CN120600696A ,2025-09-05

[3]

一种功率器件封装结构 [P].

董超 ;

钟任生 ;

刘义芳 .

中国专利 :CN205488092U ,2016-08-17

[4]

一种功率器件封装结构 [P].

崔卫兵 ;

郑永富 ;

龚浩 .

中国专利 :CN203260563U ,2013-10-30

[5]

功率器件封装结构 [P].

程浪 .

中国专利 :CN120878691A ,2025-10-31

[6]

一种短时发热的大功率器件封装结构及方法 [P].

任先文 ;

孙会 ;

谭志远 ;

刘平 ;

于婷 ;

力军 ;

龚胜刚 .

中国专利 :CN109599369A ,2019-04-09

[7]

一种功率半导体封装器件的封装结构 [P].

张良军 .

中国专利 :CN118471923A ,2024-08-09

[8]

一种功率半导体封装器件的封装结构 [P].

张良军 .

中国专利 :CN118471923B ,2025-03-14

[9]

一种功率器件封装结构 [P].

周正伟 ;

任尚 .

中国专利 :CN207731919U ,2018-08-14

[10]

一种功率器件封装结构 [P].

高苗苗 .

中国专利 :CN209544317U ,2019-10-25

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