GaN MISHEMT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110886070.1

申请日：

2021-08-03

公开(公告)号：

CN113594037B

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

于子呈张丽周鑫徐坤邓旭光范亚明张宝顺

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN MISHEMT器件及其制作方法 [P].

于子呈 ;

张丽 ;

周鑫 ;

徐坤 ;

邓旭光 ;

范亚明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN113594037A ,2021-11-02

[2]

GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

谭庶欣 .

中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02

[3]

GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105226093B ,2016-01-06

[4]

GaN衬底、半导体器件及其制作方法 [P].

张正海 ;

张宗民 ;

曹伯承 .

中国专利 :CN102637723A ,2012-08-15

[5]

一种GaN基双异质结HEMT器件及其制作方法 [P].

陈效双 ;

姚路驰 ;

王林 ;

胡伟达 ;

陆卫 .

中国专利 :CN105514157A ,2016-04-20

[6]

Ⅲ族氮化物MISHEMT器件 [P].

蔡勇 ;

于国浩 ;

董志华 ;

王越 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102403349A ,2012-04-04

[7]

N面GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

张丽 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112420827A ,2021-02-26

[8]

GaN器件及其制作方法 [P].

孙鹏 ;

姚一平 ;

邓光敏 ;

邢军军 ;

杨继业 .

中国专利 :CN120282476A ,2025-07-08

[9]

GaN基增强型MISHEMT器件的制作方法及器件 [P].

马晓华 ;

祝杰杰 ;

马咪 ;

杨凌 ;

侯斌 .

中国专利 :CN108598000B ,2018-09-28

[10]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104701359A ,2015-06-10

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