半導体デバイス用の、選択された分極を有する誘電体材料を形成する方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20230509574

申请日：

2021-07-30

公开(公告)号：

JP7743144B2

公开(公告)日：

2025-09-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/316

IPC分类号：

C23C16/40 C23C16/44

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共 50 条

[1]

半導体デバイス用の、選択された分極を有する誘電体材料を形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023538535A ,2023-09-08

[2]

半導体デバイスを製作するための方法および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2018506174A ,2018-03-01

[3]

半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P].

NGUYEN SON VAN ;

YAMASHITA TENKO ;

CHENG KANGGUO ;

THOMAS JASPER HAIGH JR ;

PARK CHANRO ;

ERIC LINIGER ;

LI JUNTAO ;

SANJAY MEHTA .

日本专利 :JP2022140451A ,2022-09-26

[4]

半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2019527933A ,2019-10-03

[5]

半導体デバイスを製造する方法およびその半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2022550015A ,2022-11-30

[6]

窒化された界面層を有する半導体基板[ja] [P].

日本专利 :JP2023532799A ,2023-07-31

[7]

誘電体材料上に２つの電極を接続する半導体材料で作られたナノワイヤを成長する方法[ja] [P].

日本专利 :JP5758123B2 ,2015-08-05

[8]

基板貫通ビアを有する半導体デバイスおよび基板貫通ビアを有する半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022511415A ,2022-01-31

[9]

光電子半導体デバイス、光電子半導体デバイスのアレイ、及び光電子半導体デバイスを製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024526040A ,2024-07-17

[10]

誘電半導体膜を有する静電レンズ[ja] [P].

日本专利 :JP2016522973A ,2016-08-04

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