具有清除装置的晶片载体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480015468.X

申请日：

2024-02-27

公开(公告)号：

CN120787375A

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

黄师轩 M·J·里德尔 J·D·苏特二世 J·安杰尔 V·普拉亚斯 B·梅斯默 H·斯卡莱昂 K·欧哈马

申请人：

埃万特公司

申请人地址：

美国俄亥俄州

IPC主分类号：

H01L21/673

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

郭辉;蔡文清

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	公开	公开

共 50 条

[1]

具有水分清除的晶片载体 [P].

V·普拉亚斯 ;

B·梅斯默 ;

H·斯卡莱昂 ;

I·席尔瓦 ;

J·D·苏特二世 ;

K·欧哈马 .

美国专利 :CN121219831A ,2025-12-26

[2]

采用活性氧清除的晶片载体 [P].

V·普拉亚斯 ;

B·梅斯默 ;

H·斯卡莱昂 ;

I·席尔瓦 ;

J·D·苏特二世 .

美国专利 :CN120814041A ,2025-10-17

[3]

具有低公差积累的晶片载体 [P].

格雷戈里·W·博雷斯 ;

迈克尔·C·扎布卡 .

中国专利 :CN1328521A ,2001-12-26

[4]

具有电路化表面和保持涂层的晶片载体 [P].

布兰达·迪亚尼·弗雷 ;

查尔斯·阿诺德·约瑟夫 ;

弗兰西斯·约汉·奥尔谢夫斯基 ;

詹姆斯·沃伦·威尔森 .

中国专利 :CN1081787A ,1994-02-09

[5]

半导体晶片载体 [P].

黄招胜 ;

陈明发 .

中国专利 :CN101794725A ,2010-08-04

[6]

半导体晶片载体容器 [P].

坂本贵树 ;

白发准 ;

小林隆行 ;

近内则行 .

中国专利 :CN100555596C ,2007-01-03

[7]

形成具有较大载体的重构晶片的半导体器件和方法 [P].

潘弈豪 ;

萧永宽 .

中国专利 :CN103035578A ,2013-04-10

[8]

晶片及评价其载体浓度的方法 [P].

泽田滋 ;

岩崎孝 .

中国专利 :CN1420539A ,2003-05-28

[9]

用于不同半导体裸片和/或晶片的半导体晶片到晶片结合 [P].

阿尔温德·钱德拉舍卡朗 ;

布雷恩·M·亨德森 .

中国专利 :CN102484099B ,2012-05-30

[10]

具有边缘遮蔽和气体清除的静电卡盘晶片端口和顶板 [P].

P·L·凯勒曼 ;

K·T·赖安 ;

R·J·米切尔 .

中国专利 :CN1706026A ,2005-12-07

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