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三维半导体存储器件及包括该三维半导体存储器件的电子系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411599838.7
申请日
:
2024-11-11
公开(公告)号
:
CN120786899A
公开(公告)日
:
2025-10-14
发明(设计)人
:
李世薰
林濬熙
申请人
:
三星电子株式会社
申请人地址
:
韩国
IPC主分类号
:
H10B43/50
IPC分类号
:
H10B43/27
H10B41/50
H10B41/27
H10B41/35
H10B43/35
代理机构
:
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
:
范心田;倪斌
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-14
公开
公开
共 50 条
[1]
三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统
[P].
全炫旭
论文数:
0
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
全炫旭
;
金烔永
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金烔永
;
闵丙宪
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
闵丙宪
.
韩国专利
:CN119136555A
,2024-12-13
[2]
三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统
[P].
孙仑焕
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0
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0
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0
孙仑焕
;
申民洙
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申民洙
;
申重植
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0
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0
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申重植
.
中国专利
:CN115701222A
,2023-02-07
[3]
三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统
[P].
郑光泳
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
郑光泳
;
沈善一
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
沈善一
;
李昇埈
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李昇埈
;
林周炫
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
林周炫
;
全裕陈
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
全裕陈
.
韩国专利
:CN119173037A
,2024-12-20
[4]
三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统
[P].
白石千
论文数:
0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
白石千
.
韩国专利
:CN118678682A
,2024-09-20
[5]
三维半导体存储器件和包括该三维半导体存储器件的电子系统
[P].
金承允
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金承允
;
朴炳在
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴炳在
;
沈载煌
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
沈载煌
;
安钟善
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
安钟善
;
李宁浩
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李宁浩
.
韩国专利
:CN117641920A
,2024-03-01
[6]
三维半导体存储器件和包括三维半导体存储器件的电子系统
[P].
金宰浩
论文数:
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金宰浩
;
金智源
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金智源
;
金俊成
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金俊成
;
成锡江
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成锡江
;
李相燉
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李相燉
;
李钟旻
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李钟旻
;
郑恩宅
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郑恩宅
.
中国专利
:CN115605024A
,2023-01-13
[7]
三维半导体存储器件和包括其的电子系统
[P].
金东焕
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金东焕
;
姜信焕
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姜信焕
;
卢英智
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卢英智
;
朴正桓
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朴正桓
;
千相勋
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0
千相勋
.
中国专利
:CN114725114A
,2022-07-08
[8]
三维半导体存储器器件以及包括三维半导体存储器器件的电子系统
[P].
崔茂林
论文数:
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崔茂林
;
黄允照
论文数:
0
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黄允照
.
中国专利
:CN115377113A
,2022-11-22
[9]
三维半导体存储器件和包括其的电子系统
[P].
权俊瑛
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
权俊瑛
;
金志荣
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金志荣
;
金俊亨
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金俊亨
;
成锡江
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
成锡江
.
韩国专利
:CN119451114A
,2025-02-14
[10]
三维半导体存储器件和包括其的电子系统
[P].
金森宏治
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0
引用数:
0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金森宏治
;
韩智勋
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
韩智勋
;
洪兑允
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
洪兑允
.
韩国专利
:CN120659312A
,2025-09-16
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