三维半导体存储器件和包括该三维半导体存储器件的电子系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310489265.1

申请日：

2023-05-04

公开(公告)号：

CN117641920A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

金承允朴炳在沈载煌安钟善李宁浩

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B41/35

IPC分类号：

H10B41/41 H10B41/20 H10B43/35 H10B43/40 H10B43/20 G11C5/02 G11C5/06

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

纪雯;范心田

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2025-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/35申请日:20230504

共 50 条

[1]

三维半导体存储器件和包括三维半导体存储器件的电子系统 [P].

金宰浩 ;

金智源 ;

金俊成 ;

成锡江 ;

李相燉 ;

李钟旻 ;

郑恩宅 .

中国专利 :CN115605024A ,2023-01-13

[2]

三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统 [P].

白石千 .

韩国专利 :CN118678682A ,2024-09-20

[3]

三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统 [P].

全炫旭 ;

金烔永 ;

闵丙宪 .

韩国专利 :CN119136555A ,2024-12-13

[4]

三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统 [P].

孙仑焕 ;

申民洙 ;

申重植 .

中国专利 :CN115701222A ,2023-02-07

[5]

三维半导体存储器件及包括该三维半导体存储器件的电子系统 [P].

李世薰 ;

林濬熙 .

韩国专利 :CN120786899A ,2025-10-14

[6]

三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统 [P].

郑光泳 ;

沈善一 ;

李昇埈 ;

林周炫 ;

全裕陈 .

韩国专利 :CN119173037A ,2024-12-20

[7]

三维半导体器件以及包括三维半导体器件的电子系统 [P].

卢英智 ;

朴正桓 ;

郑光泳 ;

柳孝俊 ;

韩智勋 .

中国专利 :CN115312527A ,2022-11-08

[8]

三维半导体存储器器件以及包括三维半导体存储器器件的电子系统 [P].

崔茂林 ;

黄允照 .

中国专利 :CN115377113A ,2022-11-22

[9]

三维半导体存储器件 [P].

李炳镇 ;

李东植 ;

任峻成 .

中国专利 :CN111987104A ,2020-11-24

[10]

三维半导体存储器件和包括其的电子系统 [P].

权俊瑛 ;

金志荣 ;

金俊亨 ;

成锡江 .

韩国专利 :CN119451114A ,2025-02-14

← 1 2 3 4 5 →