形成氮化镓膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480017845.3

申请日：

2024-03-15

公开(公告)号：

CN120770064A

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

元京勋安民宇尹舒俊金起德石州熙黄喆周

申请人：

周星工程股份有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/3065

代理机构：

北京鸿元知识产权代理有限公司 11327

代理人：

王伟;李琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓衬底和氮化镓膜淀积方法 [P].

中畑成二 .

中国专利 :CN101311379A ,2008-11-26

[2]

以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法 [P].

雷本亮 ;

于广辉 ;

王笑龙 ;

齐鸣 ;

孟胜 ;

李爱珍 .

中国专利 :CN1828837B ,2006-09-06

[3]

成膜装置及氮化镓膜的成膜方法 [P].

池田雅延 .

日本专利 :CN119213161A ,2024-12-27

[4]

氮化镓外延层及其形成方法 [P].

徐琳 .

中国专利 :CN114121611A ,2022-03-01

[5]

氮化镓外延层及其形成方法 [P].

徐琳 .

中国专利 :CN114121611B ,2025-08-26

[6]

氮化镓晶体膜的制造方法 [P].

纐缬明伯 ;

村上尚 ;

山口晃 .

中国专利 :CN111094619A ,2020-05-01

[7]

氮化镓单晶膜的制造方法 [P].

江风益 ;

王立 ;

李述体 ;

莫春兰 ;

彭学新 ;

熊传兵 ;

李鹏 .

中国专利 :CN1382838A ,2002-12-04

[8]

一种多孔氮化镓衬底的处理方法及氮化镓膜的生长方法 [P].

王新中 ;

王瑞春 ;

谢华 ;

何国荣 ;

刘德新 ;

杜军 ;

高潮 .

中国专利 :CN102644119A ,2012-08-22

[9]

膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法 [P].

长田贵弘 ;

知京丰裕 ;

上原刚 .

中国专利 :CN100589229C ,2008-07-30

[10]

氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法 [P].

三川丰 ;

栗本浩平 ;

包全喜 .

日本专利 :CN117897521A ,2024-04-16

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