工艺腔室清洁方法、半导体刻蚀方法及半导体工艺设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411025872.3

申请日：

2024-07-29

公开(公告)号：

CN118969590B

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

都娴

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01L21/3213 H01L21/67

代理机构：

北京布瑞知识产权代理有限公司 11505

代理人：

骆宗力

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/32申请日:20240729
2024-11-15	公开	公开
2025-10-10	授权	授权

共 50 条

[21]

半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

高雄 ;

孙伟 .

中国专利 :CN216624211U ,2022-05-27

[22]

半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

薛宝达 ;

简师节 ;

郑建宇 ;

李补忠 .

中国专利 :CN119446874A ,2025-02-14

[23]

半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

左杰 .

中国专利 :CN118866637A ,2024-10-29

[24]

半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

侯鹏飞 ;

周振溪 ;

赵福平 .

中国专利 :CN120272885B ,2025-10-10

[25]

半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

薛宝达 ;

简师节 ;

郑建宇 ;

李补忠 .

中国专利 :CN119446874B ,2025-11-11

[26]

半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

许冬冬 ;

余家威 ;

马峥 ;

王磊 ;

刘号 ;

赵康宁 ;

杨玉杰 ;

郭冰亮 ;

边国栋 .

中国专利 :CN120719261A ,2025-09-30

[27]

半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

刘凯 .

中国专利 :CN115679294A ,2023-02-03

[28]

半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

郭春 .

中国专利 :CN119890115B ,2025-12-12

[29]

半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

侯鹏飞 ;

周振溪 ;

赵福平 .

中国专利 :CN120272885A ,2025-07-08

[30]

半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

翟浩 ;

任晓艳 ;

张璐 ;

魏延宝 ;

王歆銘 .

中国专利 :CN222233577U ,2024-12-24

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