工艺腔室清洁方法、半导体刻蚀方法及半导体工艺设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411025872.3

申请日：

2024-07-29

公开(公告)号：

CN118969590B

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

都娴

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01L21/3213 H01L21/67

代理机构：

北京布瑞知识产权代理有限公司 11505

代理人：

骆宗力

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/32申请日:20240729
2024-11-15	公开	公开
2025-10-10	授权	授权

共 50 条

[41]

工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

王建龙 .

中国专利 :CN114446760B ,2024-02-27

[42]

工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

符绩智 ;

田甲 .

中国专利 :CN119495543A ,2025-02-21

[43]

工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

王一帆 .

中国专利 :CN119626879A ,2025-03-14

[44]

工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

王建龙 .

中国专利 :CN114446760A ,2022-05-06

[45]

工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

龚田 .

中国专利 :CN120776250A ,2025-10-14

[46]

工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

王一帆 .

中国专利 :CN119626879B ,2025-12-12

[47]

半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备 [P].

刘珊珊 ;

光娟亮 .

中国专利 :CN111725111A ,2020-09-29

[48]

工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

冯颜召 ;

纪安宽 ;

郭冰亮 ;

赵晨光 ;

宋玲彦 ;

马迎功 ;

周麟 ;

李世林 ;

杨健 .

中国专利 :CN117737674A ,2024-03-22

[49]

工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

王志伟 ;

种景 ;

陈思同 .

中国专利 :CN118866636A ,2024-10-29

[50]

工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法 [P].

迟文凯 ;

王勇飞 .

中国专利 :CN113972154A ,2022-01-25

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