掩膜版图修正方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010912169.X

申请日：

2020-09-02

公开(公告)号：

CN114200766B

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

贺婷王杰覃柳莎王占雨张迎春

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F1/36

IPC分类号：

G03F7/20

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	授权	授权

共 50 条

[1]

掩膜版图修正方法 [P].

贺婷 ;

王杰 ;

覃柳莎 ;

王占雨 ;

张迎春 .

中国专利 :CN114200766A ,2022-03-18

[2]

掩膜版版图的修正方法及掩膜版版图 [P].

郑二虎 ;

张冬平 ;

洪中山 .

中国专利 :CN113517180A ,2021-10-19

[3]

光学修正模型及其获取方法、掩膜版图形修正方法 [P].

王茂林 .

中国专利 :CN121069698A ,2025-12-05

[4]

目标版图和掩膜版版图的修正方法、掩膜版及半导体结构 [P].

杜杳隽 ;

徐垚 .

中国专利 :CN112824972B ,2024-06-18

[5]

目标版图和掩膜版版图的修正方法、掩膜版及半导体结构 [P].

杜杳隽 ;

徐垚 .

中国专利 :CN112824972A ,2021-05-21

[6]

目标版图和掩膜版版图的修正方法及半导体结构 [P].

杜杳隽 .

中国专利 :CN112824971B ,2024-09-17

[7]

目标版图和掩膜版版图的修正方法及半导体结构 [P].

杜杳隽 .

中国专利 :CN112824971A ,2021-05-21

[8]

掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法 [P].

李亮 ;

杜杳隽 ;

倪昶 .

中国专利 :CN112987485A ,2021-06-18

[9]

版图缺陷修正的方法及系统、掩膜版 [P].

冯乐 ;

林义栩 ;

陈咏翔 ;

曾鼎程 ;

范富杰 ;

胡展源 .

中国专利 :CN119439606A ,2025-02-14

[10]

掩膜版图形的形成方法及掩膜版 [P].

朱文焘 .

中国专利 :CN119045275A ,2024-11-29

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