封装结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511453649.3

申请日：

2025-10-11

公开(公告)号：

CN120955051A

公开(公告)日：

2025-11-14

发明(设计)人：

鲍漫王卫军李宗怿向丽张文娟

申请人：

长电微电子（江阴）有限公司

申请人地址：

214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号

IPC主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/373 H01L23/498 H01L21/56 H01L21/60

代理机构：

上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327

代理人：

张雪琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/367申请日:20251011
2025-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

封装结构及其形成方法 [P].

林孟良 ;

蔡柏豪 ;

庄博尧 ;

吴逸文 ;

翁得期 ;

郑心圃 .

中国专利 :CN112670195B ,2025-06-13

[2]

封装结构及其形成方法 [P].

徐松华 ;

包忠平 ;

谢颃星 ;

夏士伟 .

中国专利 :CN121123150A ,2025-12-12

[3]

封装结构及其形成方法 [P].

林孟良 ;

蔡柏豪 ;

庄博尧 ;

吴逸文 ;

翁得期 ;

郑心圃 .

中国专利 :CN112670195A ,2021-04-16

[4]

封装结构及其形成方法 [P].

周青云 ;

蒋熠阳 ;

董佳瑜 ;

郦文杰 .

中国专利 :CN119833418A ,2025-04-15

[5]

封装结构及其形成方法 [P].

张勇舜 ;

李德章 ;

谢孟伟 ;

陈道隆 .

中国专利 :CN113035846A ,2021-06-25

[6]

封装结构及其形成方法 [P].

叶华 ;

费春潮 ;

戴吟洁 ;

陈樑 .

中国专利 :CN120854388A ,2025-10-28

[7]

芯片封装结构及其形成方法 [P].

陈彧 .

中国专利 :CN109712966A ,2019-05-03

[8]

芯片封装结构及其形成方法 [P].

蓝竣彦 ;

王裕勋 ;

王卜 ;

郑礼辉 ;

施应庆 .

中国专利 :CN119833483A ,2025-04-15

[9]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

林文益 ;

郭建利 ;

李光君 ;

李建成 ;

刘国洲 .

中国专利 :CN118263194A ,2024-06-28

[10]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

吴俊毅 .

中国专利 :CN101170088A ,2008-04-30

← 1 2 3 4 5 →