一种基于单晶金刚石横向生长的等离子化学气相沉积系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511087244.2

申请日：

2024-07-03

公开(公告)号：

CN120866932A

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

余斌余海粟朱轶方李陈陈

申请人：

杭州超然金刚石有限公司

申请人地址：

311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区鸿兴路158号2号楼2-117

IPC主分类号：

C30B25/00

IPC分类号：

C30B25/12 C30B25/08 C30B29/04

代理机构：

杭州信与义专利代理有限公司 33450

代理人：

陶玮彬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/00申请日:20240703
2025-10-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种微波等离子化学气相沉积金刚石生长设备供气系统 [P].

袁稳 ;

李兵 ;

郑华 .

中国专利 :CN222574780U ,2025-03-07

[2]

一种基于柔性薄膜的单晶金刚石横向生长辅助装置 [P].

余斌 ;

余海粟 ;

朱轶方 ;

李陈陈 .

中国专利 :CN120866933A ,2025-10-31

[3]

一种单晶金刚石横向生长辅助装置及其工作方法 [P].

余斌 ;

余海粟 ;

朱轶方 ;

李陈陈 .

中国专利 :CN118639322A ,2024-09-13

[4]

一种单晶金刚石横向生长辅助装置及其工作方法 [P].

余斌 ;

余海粟 ;

朱轶方 ;

李陈陈 .

中国专利 :CN118639322B ,2025-08-05

[5]

用于化学气相沉积单晶金刚石高速生长的等离子体聚集装置 [P].

朱嘉琦 ;

李一村 ;

代兵 ;

郝晓斌 ;

刘雪冬 .

中国专利 :CN111979579A ,2020-11-24

[6]

一种基于微波等离子体化学气相沉积的单晶金刚石基片台 [P].

李庆利 ;

甄西合 ;

徐悟生 ;

赵丽媛 ;

朱逢锐 ;

朱逢旭 ;

杨春晖 .

中国专利 :CN215856452U ,2022-02-18

[7]

等离子化学气相沉积炉 [P].

李荣华 .

中国专利 :CN101139704A ,2008-03-12

[8]

一种金刚石薄膜的射频等离子化学气相沉积装置 [P].

皮超杰 ;

徐国龙 ;

夏震 .

中国专利 :CN206512273U ,2017-09-22

[9]

一种化学气相沉积制备单晶金刚石的方法 [P].

黄迪 ;

曹晓君 ;

袁七一 .

中国专利 :CN114959892B ,2024-01-16

[10]

微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石用的沉积台 [P].

李成明 ;

赵云 ;

林亮珍 ;

安康 ;

郑宇亭 ;

黑立富 ;

刘金龙 ;

魏俊俊 ;

陈良贤 .

中国专利 :CN206828679U ,2018-01-02

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