半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510431382.1

申请日：

2025-04-08

公开(公告)号：

CN120833810A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

松原谦发田充弘武田晃一舟根圣忠下井贵裕

申请人：

瑞萨电子株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G11C11/4074

IPC分类号：

G11C11/408 G11C11/4094 G11C11/4097

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

张宁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

泽田阳平 ;

薮内诚 ;

石井雄一郎 .

中国专利 :CN107077885A ,2017-08-18

[2]

半导体器件 [P].

王屏薇 ;

陈瑞麟 .

中国专利 :CN119342801A ,2025-01-21

[3]

半导体器件 [P].

芦田勉 .

中国专利 :CN1231975C ,2000-05-17

[4]

半导体器件 [P].

高桥弘行 .

中国专利 :CN105895145B ,2016-08-24

[5]

半导体器件 [P].

薮内诚 ;

田中信二 .

日本专利 :CN111341364B ,2024-11-22

[6]

半导体器件 [P].

加藤清 ;

长塚修平 ;

井上广树 ;

松崎隆德 .

中国专利 :CN102725842B ,2012-10-10

[7]

半导体器件 [P].

芦田基 ;

神谷好一 ;

浜砂荣二 .

中国专利 :CN101582427B ,2009-11-18

[8]

半导体器件 [P].

齐藤朋也 .

中国专利 :CN107093457A ,2017-08-25

[9]

半导体器件 [P].

小槻一贵 .

中国专利 :CN1213181A ,1999-04-07

[10]

半导体器件 [P].

李仁学 .

中国专利 :CN108122917A ,2018-06-05

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