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一种深沟槽填充方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410495378.7
申请日
:
2024-04-23
公开(公告)号
:
CN120834003A
公开(公告)日
:
2025-10-24
发明(设计)人
:
刘伟
潘世荣
申请人
:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
申请人地址
:
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层
IPC主分类号
:
H01L21/205
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市一法律师事务所 11654
代理人
:
刘荣娟
法律状态
:
公开
国省代码
:
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-24
公开
公开
2025-11-11
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/205申请日:20240423
共 50 条
[1]
深沟槽填充方法
[P].
缪燕
论文数:
0
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0
缪燕
;
谢烜
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谢烜
;
季伟
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季伟
;
彭虎
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彭虎
.
中国专利
:CN101887852A
,2010-11-17
[2]
深沟槽填充方法
[P].
姚亮
论文数:
0
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0
姚亮
;
王飞
论文数:
0
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0
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0
王飞
.
中国专利
:CN106229335A
,2016-12-14
[3]
深沟槽填充方法
[P].
缪海生
论文数:
0
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0
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0
机构:
无锡华润上华科技有限公司
无锡华润上华科技有限公司
缪海生
;
许超奇
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机构:
无锡华润上华科技有限公司
无锡华润上华科技有限公司
许超奇
;
武慧慧
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机构:
无锡华润上华科技有限公司
无锡华润上华科技有限公司
武慧慧
;
徐少辉
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机构:
无锡华润上华科技有限公司
无锡华润上华科技有限公司
徐少辉
.
中国专利
:CN117995751A
,2024-05-07
[4]
深沟槽填充方法
[P].
王雷
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王雷
;
李伟峰
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李伟峰
.
中国专利
:CN103579073B
,2014-02-12
[5]
深沟槽填充方法
[P].
张露芳
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张露芳
;
朱作华
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
朱作华
.
中国专利
:CN118398551A
,2024-07-26
[6]
深沟槽外延填充方法
[P].
伍洲
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0
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0
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伍洲
.
中国专利
:CN108376670A
,2018-08-07
[7]
深沟槽的填充方法
[P].
陈跃华
论文数:
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
陈跃华
;
孟艳秋
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
孟艳秋
.
中国专利
:CN120280400A
,2025-07-08
[8]
刻蚀和填充深沟槽的方法
[P].
程晓华
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程晓华
;
肖胜安
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0
肖胜安
.
中国专利
:CN102280402A
,2011-12-14
[9]
超级结深沟槽填充方法
[P].
伍洲
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0
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0
伍洲
.
中国专利
:CN109817700A
,2019-05-28
[10]
一种深沟槽的硅外延填充方法
[P].
刘继全
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刘继全
;
季伟
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季伟
;
肖胜安
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0
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肖胜安
.
中国专利
:CN103094107B
,2013-05-08
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