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深沟槽填充方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202211337509.6
申请日
:
2022-10-28
公开(公告)号
:
CN117995751A
公开(公告)日
:
2024-05-07
发明(设计)人
:
缪海生
许超奇
武慧慧
徐少辉
申请人
:
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
:
H01L21/762
IPC分类号
:
H01L21/336
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
周耀君
法律状态
:
公开
国省代码
:
河北省 保定市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-05-07
公开
公开
2024-05-24
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20221028
共 50 条
[1]
深沟槽填充方法
[P].
张露芳
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张露芳
;
朱作华
论文数:
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
朱作华
.
中国专利
:CN118398551A
,2024-07-26
[2]
深沟槽填充方法
[P].
缪燕
论文数:
0
引用数:
0
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0
缪燕
;
谢烜
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谢烜
;
季伟
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季伟
;
彭虎
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0
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0
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0
彭虎
.
中国专利
:CN101887852A
,2010-11-17
[3]
深沟槽填充方法
[P].
姚亮
论文数:
0
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0
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0
姚亮
;
王飞
论文数:
0
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0
王飞
.
中国专利
:CN106229335A
,2016-12-14
[4]
深沟槽填充方法
[P].
王雷
论文数:
0
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0
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0
王雷
;
李伟峰
论文数:
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0
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0
李伟峰
.
中国专利
:CN103579073B
,2014-02-12
[5]
深沟槽外延填充方法
[P].
伍洲
论文数:
0
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0
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0
伍洲
.
中国专利
:CN108376670A
,2018-08-07
[6]
深沟槽的填充方法
[P].
陈跃华
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
陈跃华
;
孟艳秋
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
孟艳秋
.
中国专利
:CN120280400A
,2025-07-08
[7]
超级结深沟槽填充方法
[P].
伍洲
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0
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0
伍洲
.
中国专利
:CN109817700A
,2019-05-28
[8]
一种深沟槽填充方法
[P].
刘伟
论文数:
0
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机构:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
刘伟
;
潘世荣
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机构:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
潘世荣
.
中国专利
:CN120834003A
,2025-10-24
[9]
沟槽的填充方法
[P].
彭虎
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彭虎
;
谢烜
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谢烜
;
季伟
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季伟
;
缪燕
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0
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缪燕
.
中国专利
:CN101872739A
,2010-10-27
[10]
一种浅沟槽隔离的填充方法
[P].
陈林
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机构:
格科半导体(上海)有限公司
格科半导体(上海)有限公司
陈林
;
康吉祥
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机构:
格科半导体(上海)有限公司
格科半导体(上海)有限公司
康吉祥
;
张浩然
论文数:
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机构:
格科半导体(上海)有限公司
格科半导体(上海)有限公司
张浩然
;
邹文
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机构:
格科半导体(上海)有限公司
格科半导体(上海)有限公司
邹文
;
王德龙
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机构:
格科半导体(上海)有限公司
格科半导体(上海)有限公司
王德龙
.
中国专利
:CN120127054A
,2025-06-10
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