一种浅沟槽隔离的填充方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311685963.5

申请日：

2023-12-08

公开(公告)号：

CN120127054A

公开(公告)日：

2025-06-10

发明(设计)人：

陈林康吉祥张浩然邹文王德龙

申请人：

格科半导体（上海）有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼

IPC主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

C23C16/04 C23C16/50 C23C16/52 C23C16/56

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-10	公开	公开
2025-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20231208

共 50 条

[1]

沟槽的填充方法及浅沟槽隔离的制造方法 [P].

张文广 ;

刘明源 .

中国专利 :CN101359596B ,2009-02-04

[2]

浅沟槽隔离结构中的沟槽填充方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN102479739B ,2012-05-30

[3]

沟槽填充方法及浅沟槽隔离结构制作方法 [P].

胡亚威 ;

刘明源 .

中国专利 :CN101740457A ,2010-06-16

[4]

一种浅沟槽隔离填充的方法 [P].

张文广 ;

徐强 ;

陈玉文 ;

郑春生 .

中国专利 :CN102427051A ,2012-04-25

[5]

形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构 [P].

刘明源 ;

吴汉明 ;

郭佳衢 ;

郑春生 .

中国专利 :CN101123204A ,2008-02-13

[6]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

刘石香 .

中国专利 :CN101312147A ,2008-11-26

[7]

浅沟槽隔离的制备方法 [P].

桑宁波 ;

雷通 ;

贺忻 ;

方精训 .

中国专利 :CN104051321A ,2014-09-17

[8]

改善浅沟槽隔离研磨差异的填充方法 [P].

谈娟 ;

李琳 ;

彭子昱 ;

李元豪 ;

李宗旭 ;

梁金娥 ;

赵正元 ;

张守龙 .

中国专利 :CN117832160A ,2024-04-05

[9]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

徐涛 ;

陈宏 ;

王卉 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN105914178A ,2016-08-31

[10]

浅沟槽隔离方法 [P].

谭宇琦 .

中国专利 :CN104253080A ,2014-12-31

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