一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411726742.2

申请日：

2024-11-28

公开(公告)号：

CN119647381B

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

叶雪荣郭子剑王辰一冯超周振宁张天翼陈岑陈昊郑伟高晓颖翟国富

申请人：

哈尔滨工业大学

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

G06F30/367

IPC分类号：

G06F30/373 G06F119/14 G06F119/04

代理机构：

哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213

代理人：

宋晓晓

法律状态：

公开

国省代码：

山东省威海市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	公开	公开
2025-11-04	授权	授权
2025-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/367申请日:20241128

共 50 条

[41]

一种MOS场效应管逆变焊机的整机结构 [P].

蔡献 ;

魏继昆 ;

朱宣辉 ;

陈法庆 ;

朱宣东 .

中国专利 :CN203526775U ,2014-04-09

[42]

一种基于黑磷制备顶栅型场效应管的方法及场效应管 [P].

杨航 ;

张学骜 ;

邓楚芸 ;

秦石乔 .

中国专利 :CN111627991A ,2020-09-04

[43]

一种检查电路中MOS场效应管栅极悬空的方法及系统 [P].

曹云 ;

于明 .

中国专利 :CN105137329B ,2015-12-09

[44]

一种多只串联场效应管等效单只场效应管的电路 [P].

魏杨 ;

赵开红 ;

高伟 ;

刘祥 .

中国专利 :CN217037053U ,2022-07-22

[45]

一种场效应管的测试方法 [P].

马晓爽 ;

李俊斌 ;

于长存 .

中国专利 :CN118376900B ,2024-08-23

[46]

一种MOS场效应管及其制作方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1983631A ,2007-06-20

[47]

一种场效应管的测试方法 [P].

马晓爽 ;

李俊斌 ;

于长存 .

中国专利 :CN118376900A ,2024-07-23

[48]

一种场效应管的制备方法 [P].

徐春祥 ;

赵杰 ;

石增良 ;

游道通 .

中国专利 :CN108511331A ,2018-09-07

[49]

一种结型场效应管的建模方法及其模型 [P].

王飞 ;

蒋盛烽 .

中国专利 :CN118761374A ,2024-10-11

[50]

一种场效应管及场效应管制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN102842505A ,2012-12-26

← 1 2 3 4 5 →