共 50 条
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]
[29]
[30]
一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411726742.2
申请日：
2024-11-28
公开(公告)号：
CN119647381B
公开(公告)日：
2025-11-04
发明(设计)人：
叶雪荣
郭子剑
王辰一
冯超
周振宁
张天翼
陈岑
陈昊
郑伟
高晓颖
翟国富
申请人：
哈尔滨工业大学
申请人地址：
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
IPC主分类号：
G06F30/367
IPC分类号：
G06F30/373
G06F119/14
G06F119/04
代理机构：
哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213
代理人：
宋晓晓
法律状态：
公开
国省代码：
山东省
威海市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-03-18 | 公开 | 公开 |
| 2025-11-04 | 授权 | 授权 |
| 2025-04-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/367申请日:20241128 |