一种LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511599251.0

申请日：

2025-11-04

公开(公告)号：

CN121057248A

公开(公告)日：

2025-12-02

发明(设计)人：

王子龙方欣欣孙冰朔张思雨郭峰旗

申请人：

荣芯半导体（宁波）有限公司

申请人地址：

315809 浙江省宁波市北仑区柴桥街道金水桥路28号4幢1号1层-1

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/65

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

高伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20251104
2025-12-02	公开	公开

共 50 条

[1]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN109830538B ,2019-05-31

[2]

一种LDMOS器件及其制造方法 [P].

肖莉红 ;

刘世振 .

中国专利 :CN120166754A ,2025-06-17

[3]

一种LDMOS器件及其制造方法 [P].

李忠仁 ;

赵晓燕 .

中国专利 :CN119730283A ,2025-03-28

[4]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[5]

SOI LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈天 ;

张红林 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115084267A ,2022-09-20

[6]

SOI LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈天 ;

张红林 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115084267B ,2025-06-10

[7]

LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274858B ,2023-01-17

[8]

LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274857B ,2023-01-24

[9]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04

[10]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

金锋 ;

石晶 .

中国专利 :CN104377242A ,2015-02-25

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