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一种薄膜铌酸锂调制器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511493084.1
申请日：
2025-10-17
公开(公告)号：
CN121091549A
公开(公告)日：
2025-12-09
发明(设计)人：
陈旭 汪巍 蔡艳
申请人：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址：
201800 上海市嘉定区菊园新区胜竹路1399号2幢9层930室
IPC主分类号：
G02F1/03
IPC分类号：
G02F1/035
代理机构：
苏州创智高诺知识产权代理有限公司 32843
代理人：
戈余丽
法律状态：
公开
国省代码：
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-09 公开 公开
2025-12-26 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/03申请日:20251017
共 50 条
[1]
一种薄膜铌酸锂调制器 [P]. 
国伟华 ;
唐永前 ;
陆巧银 .
中国专利 :CN115079450A ,2022-09-20
[2]
一种薄膜铌酸锂调制器 [P]. 
国伟华 ;
唐永前 ;
陆巧银 .
中国专利 :CN114280820A ,2022-04-05
[3]
一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
梁华湛 ;
林树青 ;
张仙 ;
胡胜群 ;
吴家威 ;
余思远 .
中国专利 :CN120686492A ,2025-09-23
[4]
一种渐变式电极薄膜铌酸锂调制器 [P]. 
李翰宇 ;
杨万里 ;
谢仕锋 ;
黄性强 ;
尹怡辉 .
中国专利 :CN121187027A ,2025-12-23
[5]
基于薄膜铌酸锂的电光调制器及其制备方法 [P]. 
万青 ;
赵蕊 ;
翁海中 .
中国专利 :CN119376125A ,2025-01-28
[6]
一种薄膜铌酸锂声光调制器 [P]. 
江文兵 ;
周立兵 ;
瞿江 .
中国专利 :CN119045225A ,2024-11-29
[7]
一种下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法 [P]. 
陈玉萍 ;
吴江威 ;
刘一岸 ;
陈险峰 .
中国专利 :CN113359330A ,2021-09-07
[8]
一种高调制效率薄膜铌酸锂或钽酸锂调制器及其调制方法 [P]. 
周刚强 ;
熊婉姝 ;
李玉苗 ;
余辉 ;
尹坤 .
中国专利 :CN120085412A ,2025-06-03
[9]
一种铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法 [P]. 
尹志军 ;
叶志霖 ;
崔国新 ;
许志城 .
中国专利 :CN113900284A ,2022-01-07
[10]
一种铌酸锂波导调制器及其制备方法 [P]. 
吕新杰 ;
赵刚 ;
胡小鹏 ;
祝世宁 .
中国专利 :CN119087704B ,2025-12-05
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