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一种等离子体刻蚀终点检测系统及刻蚀终点检测方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511390013.9
申请日：
2025-09-26
公开(公告)号：
CN121215542A
公开(公告)日：
2025-12-26
发明(设计)人：
方铭国
申请人：
深圳泰研半导体装备有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市坪山区龙田街道竹坑社区兰景中路16号国富文化创意产业厂区厂房B1201
IPC主分类号：
H01L21/66
IPC分类号：
G01J3/28
H01J37/32
代理机构：
北京惟盛达知识产权代理有限公司 11855
代理人：
黄凯
法律状态：
公开
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-26 | 公开 | 公开 |