环绕栅极晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410749610.5

申请日：

2024-06-11

公开(公告)号：

CN121152235A

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

姜长城李昱辰纪世良张海洋

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10B10/00 H10B12/00

代理机构：

上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327

代理人：

张雪琴

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

环绕栅极晶体管的形成方法 [P].

姜长城 ;

杨晗 ;

纪世良 ;

张海洋 .

中国专利 :CN120857598A ,2025-10-28

[2]

环绕式栅极晶体管和形成方法 [P].

本杰明·科伦坡 ;

B·普拉纳瑟提哈兰 ;

刘乐群 .

美国专利 :CN118339648A ,2024-07-12

[3]

金属栅极晶体管的形成方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN104241129A ,2014-12-24

[4]

金属栅极晶体管的形成方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN104241131A ,2014-12-24

[5]

晶体管栅极的形成方法 [P].

邱彦睿 ;

庄曜滕 ;

林揆伦 .

中国专利 :CN114695262A ,2022-07-01

[6]

多重栅极晶体管与其形成方法 [P].

杨育佳 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN100530688C ,2005-06-22

[7]

NMOS金属栅极晶体管的形成方法 [P].

张海洋 ;

李凤莲 .

中国专利 :CN104347377B ,2015-02-11

[8]

晶体管栅极及其形成方法 [P].

李欣怡 ;

陈智城 ;

洪正隆 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113345893B ,2025-05-06

[9]

全环绕栅极晶体管的制备方法 [P].

母志强 ;

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN113539792B ,2024-03-01

[10]

全环绕栅极晶体管的制备方法 [P].

母志强 ;

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN113539792A ,2021-10-22

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