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1.5-MU-M INGAASP-INP BH LASERS ON P-TYPE INP SUBSTRATES
被引:20
作者
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NAKANO, Y
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NAKANO, Y
TAKAHEI, KI
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TAKAHEI, KI
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NAGAI, H
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NAWATA, K
FUJIMOTO, M
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FUJIMOTO, M
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1980年
/ 19卷
/ 10期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.19.L612
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
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页码:L612 / L614
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(05)
: 283
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IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,
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ROOM-TEMPERATURE OPERATION OF GALNASP-LNP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE DIODE LASERS EMITTING AT 1.1 MU-M
HSIEH, JJ
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[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1976,
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[2]
INP-GAINASP BURIED HETEROSTRUCTURE LASERS OF 1.5 MU-M REGION
NAGAI, H
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SUEMATSU, Y
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