TEMPERATURE-DEPENDENCE OF ELECTRON DRIFT VELOCITY IN SILICON

被引：8

作者：

HAAS, GA ^{[1
]}

PANKEY, T ^{[1
]}

HARRIS, FH ^{[1
]}

机构：

[1] USN, RES LAB, WASHINGTON, DC 20390 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1662587

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2433 / 2434

页数：2

共 7 条

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