PROPERTIES OF A HIGH-RESISTIVITY LAYER IN EPITAXIALLY GROWN GALLIUM-ARSENIDE FILM

被引：3

作者：

OKAMOTO, H ^{[1
]}

SAKATA, S ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TEL & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1654706

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：446 / 447

页数：2

共 5 条

[1] INTERPRETATION OF ANOMALOUS LAYERS AT GAAS N+-N- STEP JUNCTIONS [J].

BLOCKER, TG ;

COX, RH ;

HASTY, TE .

DILORENZO, JV ;

MARCUS, RB ;

LEWIS, R .

OKAMOTO, H ;

SAKATA, S ;

SAKAI, K .

SAITO, T ;

HASEGAWA, F .

[5]

WOLFE CM, 1968, ELECTROCHEM TECHNOL, V6, P208