BOUND EXCITON RECOMBINATION IN BERYLLIUM-DOPED SILICON

被引:43
作者
HENRY, MO
LIGHTOWLERS, EC
KILLORAN, N
DUNSTAN, DJ
CAVENETT, BC
机构
[1] UNIV LONDON KINGS COLL,WHEATSTONE PHYS LAB,LONDON WC2R 2LS,ENGLAND
[2] UNIV HULL,DEPT PHYS,HULL HU6 7RX,N HUMBERSIDE,ENGLAND
来源
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS | 1981年 / 14卷 / 10期
关键词
D O I
10.1088/0022-3719/14/10/002
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
引用
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页码:L255 / L261
页数:7
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