THE SELECTIVITY OF POLY SI AND SIO2 ETCHING USING A NEGATIVE DC BIASING OF POWERED ELECTRODE

被引：4

作者：

BRCKA, J ^{[1
]}

HARMAN, R ^{[1
]}

BLACKBURN, A ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SOUTHAMPTON, DEPT ELECTR, SOUTHAMPTON SO9 5NH, HANTS, ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0042-207X(86)90241-1

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：531 / 533

页数：3

共 14 条

[11] GLOW-DISCHARGE PHENOMENA IN PLASMA ETCHING AND PLASMA DEPOSITION [J].

VOSSEN, JL .

ZAROWIN, CB ;

HORWATH, RS .

ZAROWIN, CB .

[14]

PE425D TECHN INF