THE CORRECT EQUIVALENT BOX REPRESENTATION FOR THE BURIED LAYER OF BC MOSFETS IN TERMS OF THE IMPLANTATION PARAMETERS

被引：11

作者：

KARMALKAR, S

BHAT, KN

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1987.26693

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：457 / 459

页数：3

共 7 条

BHATTACHARYYA, AB ;

RATNAM, P ;

NAGCHOUDHURI, D ;

RUSTAGI, SC .

[2] ANALYSIS AND CHARACTERIZATION OF THE DEPLETION-MODE IGFET [J].

ELMANSY, YA .

HAKEN, RA .

[4] MODELING OF AN ION-IMPLANTED SILICON-GATE DEPLETION-MODE IGFET [J].

HUANG, JST ;

TAYLOR, GW .

[5]

Sze S.M., 1983, VLSI TECHNOLOGY, V2nd

TAYLOR, GW ;

CHATTERJEE, PK ;

CHAO, HH .

[7] HIGH-ACCURACY MOS MODELS FOR COMPUTER-AIDED-DESIGN [J].

WHITE, MH ;

VANDEWIELE, F ;

LAMBOT, JP .